| 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 | 일 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 10:00 - 17:00 | 10:00 - 17:00 | 10:00 - 17:00 | 10:00 - 18:00 | 10:00 - 17:00 | X | X |
점심시간 이용불가 : 12:00 ~ 13:00
 |
필독! 분석의뢰전 유의 사항
본 전자현미경은 금속, 재료 등 시료의 고배율/고해상도(High Resolution) 측정용 투과전자현미경입니다. 생물시료(tissue, leaf, bacteria, virus)는 Hitachi(H-7650) 투과전자현미경을 이용하시기 바랍니다.
1. 기기이용 안내 - 예약 전 반드시 관리자(ljm83@gknu.ac.kr/054-820-7348)와 분석내용 상의 후 협의된 일자에 신청함. - 예약 후 1일전(분석시간 기준)까지 미 취소시 기본금액 적용
2. 시편 준비사항(전자빔 투과 가능한 상태(직경 3mm/두께(100nm 이하)로 가공되어야 함) - Bulk specimen: Cutting(3mm dia.) - Polishing(~100um thickness) - Dimpling(to 1um thickness) - Ion milling(below 100nm) - Powder: Grind to fine particles(flour size)-Dispersion on EtOH with Ultrasonic Cleaner - Grid sampling - Dry - Dry for overnight in Dry Oven - Nano tube, particle, wire: Dispersion on EtOH - Grid sampling - Dry - Xprep. specimen(coating, sputtering, super-layers): FIB lamella preparation - Plasma Cleaning - TEM work
Bulk sample: 시편 가공(3mm 직경의 디스크 형태로 절단 - 1um 두께까지 dimple grinding - 100nm 두께 이하로 이온빔 밀링) 혹은 FIB lamella 제작 의뢰 분말시료: Grid sampling 본인 준비(입자크기 1um 이상은 측정 곤란, 밀가루 크기 수준까지 grind, 알콜 분산 후 grid sampling, 10시간 이상 건조) 나노튜브, 나노입자, 나노 와이어 등: 알콜 분산 후 Grid sampling 코팅 등 단면 층 관찰시편: 위 bulk sample 제작법에 준해 가공, 혹은 FIB로 측정 부위 단면절단(Cross section) 후 lamella 제작
사전에 상의하지 않거나 시료가 분석조건에 만족하지 않은 택배발송된 시료는 반송(착불 택배)됩니다. |
1. 200kV의 가속전압에서 발생된 전자빔을 초박편으로(100nm 이하) 연마된 시료에 조사하여 투과 및 회절된 전자로부터 시료의 미세구조와 결정구조를 분석.
2. 투과된 전자빔으로 명시야상(Bright Field)를 관찰하며 산란/회절된 전자빔으로부터 암시야상(Dark Field Image)를 관찰.
3. Cs-corrector에 의한 구면수차 보정으로 Atomic Resolution이 가능한 초고해상도 투과전자현미경
4. 여러 검출기(BF, DF, HAADF)와 Scanning TEM에 의한 명시야상 및 암시야상, 고해상도 이미지 관찰
5. EDS 검출기로 시료 성분 분석 및 color element mapping
1. Cs-correct STEM
• Acceleration Voltage : 30~200㎸
• Magnification: 50~1,500,000배
• Resolution: Point image(0.23㎚), Lattice image(0.10㎚), BF lattice image(0.10nm), DF lattice image(0.10nm)
• Electron Gun : W(310) Cold field emittor
• Brightness: >8*10-8A(cm2.sr)
• Probe Current: <0.5nA for 0.19nm probe
• Objective Lens: 1.0mm Cs Abberation coil
• Spot size: 0.1nm dia.
2. Dual EDS System
• Detector: SDD type(100mm2 Active area)
• Solid angle: 1.7sr
• Take-off angle: 21.5degree, 17.6degree
• Energy resolution: 133eV at MnKa
• Detectable element: 4Be to 92U
• 각종 재료물질(금속재료, 반도체 물질, 배터리 전극, 광물 등)의 미세구조와 회절패턴 관찰 및 촬영(STEM)
• 박막처리된 결정성 화합물의 결정구조, 결정결함, 회절패턴 관찰 및 구성성분 분석(CBED)
• 구면수차 보정에 의한 조직의 원자배열 관찰(Cs-correct STEM)
• 생물(세포, 박테리아, 바이러스, 단백질 등)시료의 미세조직 관찰 - 고정, 탈수, 포매, 박편제작, carbon coating 등 전처리 필요, High Contrast 필요시 H-7650 TEM 사용
• EDS 분석에 의한 미세조직의 구성성분 분석/X-ray mapping/Line analysis
| 구분 | 항목 | 단위 | 외부 | 교내 | 기타 | 비고 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
분석의뢰 |
기본/저배율(STEM) | 시간 | 250,000 | 150,000 | 협약대: 교내의뢰 금액 적용 | |
| 고배율(Atomic Resolution) | 시간 | 250,000 | 200,000 | |||
| EDS analysis | 시간 | 60,000 | 50,000 | |||
| Grid 제작(Formvar Film) | 시료 | 20,000 | 15,000 | |||
| Grid 제작(Lacey Film) | 시료 | 25,000 | 20,000 |
